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Infineon Technologies IPFH6N03LA G

Name: IPFH6N03LA G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPFH6N03LA G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (249 reviews)

Número de pieza de MFG: IPFH6N03LA G

Cantidad disponible: 48530 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPFH6N03LA G.pdf

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IPFH6N03LA G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPFH6N03LA G
Número de parte futuro	FT-IPFH6N03LA G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPFH6N03LA G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 30µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2390pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	P-TO252-3
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPFH6N03LA G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPFH6N03LA G-FT

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