casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPI100N03S2L03
Número de pieza del fabricante | SPI100N03S2L03 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SPI100N03S2L03 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPI100N03S2L03 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8180pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO262-3-1 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPI100N03S2L03 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SPI100N03S2L03-FT |
IRFSL4227PBF
Infineon Technologies
IRFSL4228PBF
Infineon Technologies
IRFSL4229PBF
Infineon Technologies
IRFSL4310PBF
Infineon Technologies
IRFSL4321PBF
Infineon Technologies
IRFSL4410
Infineon Technologies
IRFSL4410PBF
Infineon Technologies
IRFSL4510PBF
Infineon Technologies
IRFSL4610
Infineon Technologies
IRFSL4610PBF
Infineon Technologies
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel