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Infineon Technologies SPI10N10

Name: SPI10N10
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPI10N10
Availability: InStock
Rating: 4.5 (407 reviews)

Número de pieza de MFG: SPI10N10

Cantidad disponible: 78880 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: SIPMOS® MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SPI10N10.pdf

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SPI10N10 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SPI10N10
Número de parte futuro	FT-SPI10N10
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SIPMOS®
SPI10N10 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10.3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 21µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	19.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	426pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO262-3-1
Paquete / Caja	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPI10N10 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SPI10N10-FT

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