casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD70R900P7SAUMA1
Número de pieza del fabricante | IPD70R900P7SAUMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPD70R900P7SAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPD70R900P7SAUMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 211pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 30.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD70R900P7SAUMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPD70R900P7SAUMA1-FT |
IPD50N10S3L16ATMA1
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XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
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LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
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