casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD50R1K4CEBTMA1
Número de pieza del fabricante | IPD50R1K4CEBTMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPD50R1K4CEBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPD50R1K4CEBTMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.1A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 900mA, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 178pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 25W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50R1K4CEBTMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPD50R1K4CEBTMA1-FT |
IPD053N06N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
IPD053N08N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD05N03LA G
Infineon Technologies
IPD05N03LB G
Infineon Technologies
IPD060N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD060N03LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD068N10N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD068P03L3GATMA1
Infineon Technologies
IPD068P03L3GBTMA1
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel