casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD50P03P4L11ATMA1
Número de pieza del fabricante | IPD50P03P4L11ATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPD50P03P4L11ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD50P03P4L11ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 85µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (Max) | +5V, -16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3770pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 58W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50P03P4L11ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPD50P03P4L11ATMA1-FT |
IPD050N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD050N03LGBTMA1
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M1A3P600L-FGG484
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XC6SLX45-N3CSG324C
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XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
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