casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD65R1K4CFDATMA2
Número de pieza del fabricante | IPD65R1K4CFDATMA2 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPD65R1K4CFDATMA2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPD65R1K4CFDATMA2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | - |
Tecnología | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Paquete / Caja | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD65R1K4CFDATMA2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPD65R1K4CFDATMA2-FT |
IPC26N12NX2SA1
Infineon Technologies
IPC300N15N3RX1SA2
Infineon Technologies
IPC300N20N3X7SA1
Infineon Technologies
IPC302N08N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N08N3X2SA1
Infineon Technologies
IPC302N10N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N12N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N15N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N15N3X7SA1
Infineon Technologies
IPC302N20N3X1SA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel