casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPC302N10N3X1SA1
Número de pieza del fabricante | IPC302N10N3X1SA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPC302N10N3X1SA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPC302N10N3X1SA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 302µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | Sawn on foil |
Paquete / Caja | Die |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC302N10N3X1SA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPC302N10N3X1SA1-FT |
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