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Infineon Technologies IPC302N20N3X1SA1

Número de pieza de MFG
IPC302N20N3X1SA1
Cantidad disponible
45030 Piezas
Precio de referencia
USD 2.901184
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
OptiMOS™ MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IPC302N20N3X1SA1
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPC302N20N3X1SA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1A (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 260µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
Característica FET -
Disipación de potencia (max) -
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor Sawn on foil
Paquete / Caja Die
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC302N20N3X1SA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPC302N20N3X1SA1-FT

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