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Infineon Technologies IPD60R750E6BTMA1

Name: IPD60R750E6BTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R750E6BTMA1
Availability: InStock
Rating: 4.5 (495 reviews)

Número de pieza de MFG: IPD60R750E6BTMA1

Cantidad disponible: 52750 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolMOS™ MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPD60R750E6BTMA1.pdf

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Número de pieza del fabricante	IPD60R750E6BTMA1
Número de parte futuro	FT-IPD60R750E6BTMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™
IPD60R750E6BTMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 170µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	17.2nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	373pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD60R750E6BTMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPD60R750E6BTMA1-FT

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