casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD30N03S2L10ATMA1
Número de pieza del fabricante | IPD30N03S2L10ATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPD30N03S2L10ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD30N03S2L10ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 100W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD30N03S2L10ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPD30N03S2L10ATMA1-FT |
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A3P1000-1FGG144I
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AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
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