casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD250N06N3GBTMA1
Número de pieza del fabricante | IPD250N06N3GBTMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPD250N06N3GBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD250N06N3GBTMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 28A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 11µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1200pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 36W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD250N06N3GBTMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPD250N06N3GBTMA1-FT |
IPD70N03S4L04ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
IPD90N03S4L02ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N03S4L03ATMA1
Infineon Technologies
IPD90R1K2C3ATMA1
Infineon Technologies
SPD04P10PLGBTMA1
Infineon Technologies
SPD08P06PGBTMA1
Infineon Technologies
IRF40R207
Infineon Technologies
AUIRFR5305TRL
Infineon Technologies
IPD038N06N3GATMA1
Infineon Technologies
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel