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Infineon Technologies IPC60N04S4L06ATMA1

Name: IPC60N04S4L06ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC60N04S4L06ATMA1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (488 reviews)

Número de pieza de MFG: IPC60N04S4L06ATMA1

Cantidad disponible: 89710 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 8TDSON

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPC60N04S4L06ATMA1.pdf

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IPC60N04S4L06ATMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPC60N04S4L06ATMA1
Número de parte futuro	FT-IPC60N04S4L06ATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPC60N04S4L06ATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 30µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3600pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-23
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC60N04S4L06ATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPC60N04S4L06ATMA1-FT

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