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ON Semiconductor FQP13N50C_F105

Name: FQP13N50C_F105
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQP13N50C_F105
Availability: InStock
Rating: 4.8 (163 reviews)

Número de pieza de MFG: FQP13N50C_F105

Cantidad disponible: 85650 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: QFET® IC POWER MANAGEMENT

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FQP13N50C_F105.pdf

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FQP13N50C_F105 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FQP13N50C_F105
Número de parte futuro	FT-FQP13N50C_F105
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQP13N50C_F105 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	13A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2055pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	195W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQP13N50C_F105 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FQP13N50C_F105-FT

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