casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / H5N2007LSTL-E
Número de pieza del fabricante | H5N2007LSTL-E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H5N2007LSTL-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
H5N2007LSTL-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo FET | - |
Tecnología | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Paquete / Caja | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H5N2007LSTL-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H5N2007LSTL-E-FT |
DMP2541UCB9-7
Diodes Incorporated
DMP3013SFK-7
Diodes Incorporated
DMP3056LVT-13
Diodes Incorporated
DMP3056LVT-7
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DMT6012LPS-13
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DMT6012LSS-13
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EFC4612R-W-TR
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EFC4615R-TR
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EFC4619R-A-TR
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EFC4621R-A-TR
ON Semiconductor
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
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LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel