casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB200N15N3GATMA1
Número de pieza del fabricante | IPB200N15N3GATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPB200N15N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB200N15N3GATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 150V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1820pF @ 75V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 150W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB200N15N3GATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB200N15N3GATMA1-FT |
IPB03N03LA G
Infineon Technologies
IPB03N03LB
Infineon Technologies
IPB03N03LB G
Infineon Technologies
IPB041N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB042N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB048N06LGATMA1
Infineon Technologies
IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB049N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPB049N08N5ATMA1
Infineon Technologies
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel