casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB03N03LB
Número de pieza del fabricante | IPB03N03LB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPB03N03LB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB03N03LB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7624pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 150W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB03N03LB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB03N03LB-FT |
AUIRF2804STRL
Infineon Technologies
AUIRF2805S
Infineon Technologies
AUIRF2903ZS
Infineon Technologies
AUIRF2903ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF3205ZS
Infineon Technologies
AUIRF3205ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF3315S
Infineon Technologies
AUIRF3315STRL
Infineon Technologies
AUIRF3710ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF3805S
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel