casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AUIRF3315STRL
Número de pieza del fabricante | AUIRF3315STRL |
---|---|
Número de parte futuro | FT-AUIRF3315STRL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRF3315STRL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 150V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.8W (Ta), 94W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF3315STRL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AUIRF3315STRL-FT |
SIHB35N60E-GE3
Vishay Siliconix
AUIRF5210STRL
Infineon Technologies
IRF1010ESTRLPBF
Infineon Technologies
IRF1010EZSTRLP
Infineon Technologies
IRF1010ZSTRLPBF
Infineon Technologies
IRF1018ESTRLPBF
Infineon Technologies
IRF1405STRLPBF
Infineon Technologies
IRF200S234
Infineon Technologies
IRF2805STRLPBF
Infineon Technologies
IRF3205STRLPBF
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel