casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF1010EZSTRLP
Número de pieza del fabricante | IRF1010EZSTRLP |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRF1010EZSTRLP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF1010EZSTRLP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 51A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2810pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 140W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF1010EZSTRLP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF1010EZSTRLP-FT |
IPB120P04P4L03ATMA1
Infineon Technologies
AUIRFS3107TRL
Infineon Technologies
IRFS4127TRLPBF
Infineon Technologies
IRF1310NSTRLPBF
Infineon Technologies
IPB072N15N3GATMA1
Infineon Technologies
IRF4905STRLPBF
Infineon Technologies
IPB065N03LGATMA1
Infineon Technologies
IRF9Z34NSTRLPBF
Infineon Technologies
IRF830STRLPBF
Vishay Siliconix
IRFS4620TRLPBF
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel