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Infineon Technologies IPB042N10N3GE8187ATMA1

Name: IPB042N10N3GE8187ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB042N10N3GE8187ATMA1
Price: 1.210032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (760 reviews)

Número de pieza de MFG: IPB042N10N3GE8187ATMA1

Cantidad disponible: 44950 Piezas

Precio de referencia: USD 1.210032

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPB042N10N3GE8187ATMA1.pdf

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Número de pieza del fabricante	IPB042N10N3GE8187ATMA1
Número de parte futuro	FT-IPB042N10N3GE8187ATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPB042N10N3GE8187ATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	117nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	8410pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB042N10N3GE8187ATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPB042N10N3GE8187ATMA1-FT

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