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Infineon Technologies IPAN70R600P7SXKSA1

Name: IPAN70R600P7SXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPAN70R600P7SXKSA1
Price: 0.470672 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (525 reviews)

Número de pieza de MFG: IPAN70R600P7SXKSA1

Cantidad disponible: 51530 Piezas

Precio de referencia: USD 0.470672

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolMOS™ P7 MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPAN70R600P7SXKSA1.pdf

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Número de pieza del fabricante	IPAN70R600P7SXKSA1
Número de parte futuro	FT-IPAN70R600P7SXKSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™ P7
IPAN70R600P7SXKSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 90µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	364pF @ 400V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	24.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220 Full Pack
Paquete / Caja	TO-220-3 Full Pack
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPAN70R600P7SXKSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPAN70R600P7SXKSA1-FT

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