casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPAN70R450P7SXKSA1
Número de pieza del fabricante | IPAN70R450P7SXKSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPAN70R450P7SXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPAN70R450P7SXKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 120µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 424pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 22.7W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220 Full Pack |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAN70R450P7SXKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPAN70R450P7SXKSA1-FT |
BSP170PE6327T
Infineon Technologies
BSP170PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP171PE6327
Infineon Technologies
BSP171PE6327T
Infineon Technologies
BSP171PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP179H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP295E6327
Infineon Technologies
BSP295E6327T
Infineon Technologies
BSP295L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP296 E6433
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel