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Infineon Technologies BSP295E6327T

Name: BSP295E6327T
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP295E6327T
Availability: InStock
Rating: 4.6 (610 reviews)

Número de pieza de MFG: BSP295E6327T

Cantidad disponible: 20170 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: SIPMOS® MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSP295E6327T.pdf

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BSP295E6327T Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BSP295E6327T
Número de parte futuro	FT-BSP295E6327T
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SIPMOS®
BSP295E6327T Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 400µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	368pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT223-4
Paquete / Caja	TO-261-4, TO-261AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP295E6327T Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSP295E6327T-FT

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