casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSP179H6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | BSP179H6327XTSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSP179H6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP179H6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 400V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 210mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 Ohm @ 210mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 94µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 135pF @ 25V |
Característica FET | Depletion Mode |
Disipación de potencia (max) | 1.8W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT223-4 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP179H6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSP179H6327XTSA1-FT |
IPU09N03LA G
Infineon Technologies
IPU09N03LB G
Infineon Technologies
IPU103N08N3 G
Infineon Technologies
IPU105N03L G
Infineon Technologies
IPU10N03LA
Infineon Technologies
IPU135N03L G
Infineon Technologies
IPU135N08N3 G
Infineon Technologies
IPU13N03LA G
Infineon Technologies
IPU20N03L G
Infineon Technologies
IPU50R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel