casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPU09N03LB G
Número de pieza del fabricante | IPU09N03LB G |
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Número de parte futuro | FT-IPU09N03LB G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPU09N03LB G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1600pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 58W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO251-3 |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU09N03LB G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPU09N03LB G-FT |
BSZ42DN25NS3GATMA1
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BSZ900N15NS3GATMA1
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BSZ900N20NS3GATMA1
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IPC100N04S52R8ATMA1
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IPC50N04S5L5R5ATMA1
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LFXP3C-3TN100C
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XC2V4000-5FF1517I
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A54SX72A-FGG256
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M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
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5SGSED8N3F45I3LN
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5SGXEB5R1F43I2N
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AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel