casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSZ900N20NS3GATMA1
Número de pieza del fabricante | BSZ900N20NS3GATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSZ900N20NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ900N20NS3GATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15.2A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 7.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 920pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 62.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSDSON-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ900N20NS3GATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSZ900N20NS3GATMA1-FT |
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