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Infineon Technologies BSZ900N20NS3GATMA1

Número de pieza de MFG
BSZ900N20NS3GATMA1
Cantidad disponible
70100 Piezas
Precio de referencia
USD 0.600368
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
OptiMOS™ MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSZ900N20NS3GATMA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 15.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 30µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11.6nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 920pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Paquete / Caja 8-PowerTDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ900N20NS3GATMA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BSZ900N20NS3GATMA1-FT

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