casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA60R280C6XKSA1
Número de pieza del fabricante | IPA60R280C6XKSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPA60R280C6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA60R280C6XKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 430µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 950pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 32W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-FP |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R280C6XKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPA60R280C6XKSA1-FT |
IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R450P7ATMA1
Infineon Technologies
IGLD60R070D1AUMA1
Infineon Technologies
IGOT60R070D1AUMA1
Infineon Technologies
IGO60R070D1AUMA1
Infineon Technologies
IPA65R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA90R340C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA90R500C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R650CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA90R1K0C3XKSA1
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel