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Infineon Technologies IGLD60R070D1AUMA1

Número de pieza de MFG
IGLD60R070D1AUMA1
Cantidad disponible
33800 Piezas
Precio de referencia
USD 12.759824
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
CoolGaN™ IC GAN FET 600V 60A 8SON
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante IGLD60R070D1AUMA1
Número de parte futuro FT-IGLD60R070D1AUMA1
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolGaN™
IGLD60R070D1AUMA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 15A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 2.6mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 380pF @ 400V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PG-LSON-8-1
Paquete / Caja 8-LDFN Exposed Pad
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IGLD60R070D1AUMA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IGLD60R070D1AUMA1-FT

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