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Infineon Technologies BSP125 E6433

Número de pieza de MFG
BSP125 E6433
Cantidad disponible
28380 Piezas
Precio de referencia
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
SIPMOS® MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
BSP125 E6433 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 120mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 Ohm @ 120mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 94µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 150pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT223-4
Paquete / Caja TO-261-4, TO-261AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP125 E6433 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BSP125 E6433-FT

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