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Infineon Technologies IPSA70R2K0CEAKMA1

Name: IPSA70R2K0CEAKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPSA70R2K0CEAKMA1
Price: 0.624 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (565 reviews)

Número de pieza de MFG: IPSA70R2K0CEAKMA1

Cantidad disponible: 97210 Piezas

Precio de referencia: USD 0.624

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: - MOSFET N-CHANNEL 700V 4A IPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPSA70R2K0CEAKMA1.pdf

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Número de pieza del fabricante	IPSA70R2K0CEAKMA1
Número de parte futuro	FT-IPSA70R2K0CEAKMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IPSA70R2K0CEAKMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 70µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	163pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO251-3
Paquete / Caja	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPSA70R2K0CEAKMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPSA70R2K0CEAKMA1-FT

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