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Infineon Technologies BSC883N03MSGATMA1

Name: BSC883N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC883N03MSGATMA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (593 reviews)

Número de pieza de MFG: BSC883N03MSGATMA1

Cantidad disponible: 88980 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSC883N03MSGATMA1.pdf

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BSC883N03MSGATMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BSC883N03MSGATMA1
Número de parte futuro	FT-BSC883N03MSGATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSC883N03MSGATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	34V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	19A (Ta), 98A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3200pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.5W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC883N03MSGATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSC883N03MSGATMA1-FT

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