casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IGO60R070D1AUMA1
Número de pieza del fabricante | IGO60R070D1AUMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IGO60R070D1AUMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolGaN™ |
IGO60R070D1AUMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 31A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | -10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 380pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-DSO-20-85 |
Paquete / Caja | 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IGO60R070D1AUMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IGO60R070D1AUMA1-FT |
BSP125H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP125H6433XTMA1
Infineon Technologies
BSP125L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP125L6433HTMA1
Infineon Technologies
BSP129E6327
Infineon Technologies
BSP129E6327T
Infineon Technologies
BSP129H6906XTSA1
Infineon Technologies
BSP129L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP129L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSP135 E6327
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel