casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA100N08N3GXKSA1
Número de pieza del fabricante | IPA100N08N3GXKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPA100N08N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPA100N08N3GXKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2410pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 35W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-FP |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA100N08N3GXKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPA100N08N3GXKSA1-FT |
BSP373L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP373NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP603S2LHUMA1
Infineon Technologies
BSP613P
Infineon Technologies
BSP613PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP613PL6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP615S2L
Infineon Technologies
BSP88E6327
Infineon Technologies
BSP88H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP88L6327HTSA1
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel