casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IMC1210EBR82J
Número de pieza del fabricante | IMC1210EBR82J |
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Número de parte futuro | FT-IMC1210EBR82J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EBR82J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 820nH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 450mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 670 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 140MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25.2MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1210 (3225 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1210 |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EBR82J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMC1210EBR82J-FT |
IMC1210EB18NM
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XC6SLX100T-4FGG900C
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XC3S400-4PQG208C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300E-5UWG36CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX75DF27I7N
Intel
EPF10K30EFC484-2X
Intel
EP4SE360H29C2
Intel
EP4CE10E22C7N
Intel
XC7K355T-3FFG901E
Xilinx Inc.
EP2S130F1020C5N
Intel