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Número de pieza del fabricante | IMC1210EB1R5K |
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Número de parte futuro | FT-IMC1210EB1R5K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EB1R5K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 1.5µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 370mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 850 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 85MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1210 (3225 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1210 |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB1R5K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMC1210EB1R5K-FT |
IMC1210BN390J
Vishay Dale
IMC1210BN390K
Vishay Dale
IMC1210BN39NJ
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IMC1210BN39NK
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IMC1210BN39NM
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IMC1210BN3R3J
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IMC1210BN3R3K
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IMC1210BN3R9J
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IMC1210BN3R9K
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IMC1210BN470J
Vishay Dale
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel