casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IMC1210EB1R5J
Número de pieza del fabricante | IMC1210EB1R5J |
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Número de parte futuro | FT-IMC1210EB1R5J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EB1R5J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 1.5µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 370mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 850 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 85MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1210 (3225 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1210 |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB1R5J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMC1210EB1R5J-FT |
IMC1210BN33NM
Vishay Dale
IMC1210BN390J
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IMC1210BN3R9K
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XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
Intel
5SGXMB6R2F43I3LN
Intel
EP4SE530H40C3N
Intel
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP4CE55F29I7
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel