casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HUFA75332G3
Número de pieza del fabricante | HUFA75332G3 |
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Número de parte futuro | FT-HUFA75332G3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUFA75332G3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 145W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA75332G3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HUFA75332G3-FT |
GP2M012A060F
Global Power Technologies Group
GP2M013A050F
Global Power Technologies Group
GP2M020A050F
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GP1M003A050HG
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GP1M003A080H
Global Power Technologies Group
GP1M004A090H
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GP1M005A050H
Global Power Technologies Group
GP1M005A050HS
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GP1M007A090H
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GP1M008A025HG
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A54SX32-1TQ144M
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A3P125-1VQG100
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Xilinx Inc.