casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GP2M012A060F
Número de pieza del fabricante | GP2M012A060F |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GP2M012A060F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP2M012A060F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1890pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 53.4W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2M012A060F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GP2M012A060F-FT |
IRFU4615PBF
Infineon Technologies
IRFU4620PBF
Infineon Technologies
IRFU48ZPBF
Infineon Technologies
IRFU5305
Infineon Technologies
IRFU540ZPBF
Infineon Technologies
IRFU5410
Infineon Technologies
IRFU5505
Infineon Technologies
IRFU6215
Infineon Technologies
IRFU7540PBF
Infineon Technologies
IRFU7546PBF
Infineon Technologies
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel