casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GP1M007A090H
Número de pieza del fabricante | GP1M007A090H |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GP1M007A090H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP1M007A090H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1969pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 250W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1M007A090H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GP1M007A090H-FT |
IRFU7540PBF
Infineon Technologies
IRFU7546PBF
Infineon Technologies
IRFU7740PBF
Infineon Technologies
IRFU7746PBF
Infineon Technologies
IRFU9014N
Infineon Technologies
IRFU9024N
Infineon Technologies
IRFU9120N
Infineon Technologies
IRFU9120NPBF
Infineon Technologies
IRFU9N20D
Infineon Technologies
IRLU2703PBF
Infineon Technologies
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel