casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HUF76645S3S
Número de pieza del fabricante | HUF76645S3S |
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Número de parte futuro | FT-HUF76645S3S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUF76645S3S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 153nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4400pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 310W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF76645S3S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HUF76645S3S-FT |
FQB34P10TM-F085P
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FQB3N25TM
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A42MX09-1VQ100
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10CL016YU256I7G
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EP3C10F256I7
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LCMXO2-7000HE-6FTG256C
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10AX066K1F35E1SG
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