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ON Semiconductor FQB34P10TM-F085P

Name: FQB34P10TM-F085P
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQB34P10TM-F085P
Availability: InStock
Rating: 4.8 (149 reviews)

Número de pieza de MFG: FQB34P10TM-F085P

Cantidad disponible: 97160 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - PMOS D2PAK 100V 60 MOHM

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FQB34P10TM-F085P.pdf

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FQB34P10TM-F085P Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FQB34P10TM-F085P
Número de parte futuro	FT-FQB34P10TM-F085P
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
FQB34P10TM-F085P Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	33.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 16.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2910pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.75W (Ta), 155W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQB34P10TM-F085P Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FQB34P10TM-F085P-FT

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