casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HUF75344G3
Número de pieza del fabricante | HUF75344G3 |
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Número de parte futuro | FT-HUF75344G3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUF75344G3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 210nC @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3200pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 285W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75344G3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HUF75344G3-FT |
GP2M005A050FG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060FG
Global Power Technologies Group
GP2M007A080F
Global Power Technologies Group
GP2M008A060FG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060FGH
Global Power Technologies Group
GP2M009A090FG
Global Power Technologies Group
GP2M010A060F
Global Power Technologies Group
GP2M010A065F
Global Power Technologies Group
GP2M012A060F
Global Power Technologies Group
GP2M013A050F
Global Power Technologies Group
XC3S50-4TQG144I
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XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
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A54SX16A-1FG256
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MPF300T-1FCG1152E
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AT6005LV-4AC
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EP3SL200H780I4L
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LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
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