casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HUF75344G3
Número de pieza del fabricante | HUF75344G3 |
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Número de parte futuro | FT-HUF75344G3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUF75344G3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 210nC @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3200pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 285W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75344G3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HUF75344G3-FT |
GP2M005A050FG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060FG
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GP2M007A080F
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GP2M008A060FG
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GP2M008A060FGH
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GP2M009A090FG
Global Power Technologies Group
GP2M010A060F
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GP2M010A065F
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GP2M012A060F
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GP2M013A050F
Global Power Technologies Group
LCMXO256C-4T100I
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A54SX32A-FGG484
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XC2V1500-6BGG575C
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XC7K355T-1FFG901I
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XC5VTX150T-1FFG1156I
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LCMXO2-4000HE-6MG184C
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