casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GP2M005A050FG
Número de pieza del fabricante | GP2M005A050FG |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GP2M005A050FG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP2M005A050FG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 645pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 32.9W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2M005A050FG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GP2M005A050FG-FT |
IRFU3806PBF
Infineon Technologies
IRFU3910
Infineon Technologies
IRFU3911PBF
Infineon Technologies
IRFU4104PBF
Infineon Technologies
IRFU4105
Infineon Technologies
IRFU4105PBF
Infineon Technologies
IRFU4105Z
Infineon Technologies
IRFU4510PBF
Infineon Technologies
IRFU4615PBF
Infineon Technologies
IRFU4620PBF
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel