casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFU3806PBF
Número de pieza del fabricante | IRFU3806PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFU3806PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFU3806PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 43A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1150pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 71W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | IPAK (TO-251) |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU3806PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFU3806PBF-FT |
IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
IPN50R650CEATMA1
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IPN50R950CEATMA1
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IPN60R1K5CEATMA1
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IPN60R2K1CEATMA1
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IPN60R360P7SATMA1
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IPN60R600P7SATMA1
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IPN65R1K5CEATMA1
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IPN70R1K2P7SATMA1
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LFXP6E-4T144I
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XC6SLX16-N3FTG256C
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Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
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10M50SCE144C8G
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LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
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EPF8282ALC84-4
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EPF10K130EQC240-3N
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