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Toshiba Semiconductor and Storage HN4K03JUTE85LF

Número de pieza de MFG
HN4K03JUTE85LF
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65480 Piezas
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
- MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
HN4K03JUTE85LF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 8.5pF @ 3V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor USV
Paquete / Caja 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HN4K03JUTE85LF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto HN4K03JUTE85LF-FT

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