casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HN4K03JUTE85LF
Número de pieza del fabricante | HN4K03JUTE85LF |
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Número de parte futuro | FT-HN4K03JUTE85LF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HN4K03JUTE85LF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 10mA, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8.5pF @ 3V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 200mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | USV |
Paquete / Caja | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HN4K03JUTE85LF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HN4K03JUTE85LF-FT |
TK6P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6P65W,RQ
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TK7P60W,RVQ
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