casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / HK21253N9S-T
Número de pieza del fabricante | HK21253N9S-T |
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Número de parte futuro | FT-HK21253N9S-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HK |
HK21253N9S-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 3.9nH |
Tolerancia | ±0.3nH |
Valoración actual | 300mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | 12 @ 100MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 4GHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.041" (1.05mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HK21253N9S-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HK21253N9S-T-FT |
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XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
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M1A3P600-2PQ208I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG484I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN672I
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EP20K100EQC208-2XN
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