casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CB2012T4R7M
Número de pieza del fabricante | CB2012T4R7M |
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Número de parte futuro | FT-CB2012T4R7M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CB |
CB2012T4R7M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 4.7µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 580mA |
Corriente - Saturación | 300mA |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 520 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 45MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.057" (1.45mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2012T4R7M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CB2012T4R7M-FT |
LB2016T100K
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LB2016T101K
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
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EPF10K50VBC356-4
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EP3C40F324C8N
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