casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LBM2016TR82JV
Número de pieza del fabricante | LBM2016TR82JV |
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Número de parte futuro | FT-LBM2016TR82JV |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB, M Type |
LBM2016TR82JV Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 820nH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 390mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 442 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 250MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25.2MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.071" (1.80mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016TR82JV Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LBM2016TR82JV-FT |
CBC2016T4R7M
Taiyo Yuden
CBC2016T680K
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel