casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HFA16TB120S
Número de pieza del fabricante | HFA16TB120S |
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Número de parte futuro | FT-HFA16TB120S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFRED® |
HFA16TB120S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 16A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 3V @ 16A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 135ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 20µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HFA16TB120S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HFA16TB120S-FT |
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-150-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-150HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-200-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel