casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYWB29-100HE3/81
Número de pieza del fabricante | BYWB29-100HE3/81 |
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Número de parte futuro | FT-BYWB29-100HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYWB29-100HE3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYWB29-100HE3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYWB29-100HE3/81-FT |
10TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
12TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
12TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
12TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
12TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
12TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
12TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETH03S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETH06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel